Pagrindinis skirtumas – HCP ir CCP
Sąvoka „glaudžiai supakuota struktūra“vartojama kalbant apie groteles arba kristalų sistemas. Jame aprašomos kristalų sistemos, turinčios sandariai supakuotus atomus. Kristalų sistemose atomas žinomas kaip „sfera“. Taip yra todėl, kad atomas laikomas sferine struktūra, kad būtų lengviau apibūdinti kristalų sistemą. Glaudus vienodų sferų supakavimas sudarys tankią kristalų sistemą, kurioje tarp šių sferų bus mažiausiai tuščių tarpų ar skylių. Tarp sferų gali būti kelių tipų skylės. Tarp trijų vienodų sferų esanti skylė yra žinoma kaip trikampė skylė, nes ji atrodo kaip trikampis. Vieno sluoksnio viršuje yra keli sferų sluoksniai. Jei antrasis sluoksnis dedamas taip, kad šio antrojo sluoksnio sferos uždengtų trikampę skylę, susidaro tetraedrinė skylė. Bet jei antrasis sluoksnis dedamas atidengdamas trikampę skylę, tada jis sukuria aštuonkampę skylę. Yra keletas glaudžiai supakuotų kristalų struktūrų tipų, tokių kaip HCP (šešiakampė arčiausiai supakuota) ir CCP (kubinė arčiausiai supakuota). Pagrindinis skirtumas tarp HCP ir CCP yra tas, kad pasikartojanti HCP struktūra turi 2 sferų sluoksnius, o pasikartojanti CCP struktūra turi 3 sferų sluoksnius.
Kas yra HCP?
Sąvoka HCP reiškia šešiakampes arčiausiai supakuotas kristalų sistemas. Šešiakampėse arčiausiai supakuotose kristalų sistemose trečiasis rutulių sluoksnis turi tą patį rutulių išdėstymą kaip ir pirmame sluoksnyje. Tada antrojo sluoksnio sferos uždengia pirmojo ir trečiojo sluoksnio tetraedrines skylutes.
01 pav.: HCP modelis
Arčiausiai supakuotos šešiakampės kristalų sistemos maždaug 74 % jos tūrio užima sferos arba atomai, o 26 % tūrio užima tuščios erdvės. Vienas atomas arba sfera HCP struktūroje yra apsupti 12 gretimų sferų. HCP kristalų sistema turi 6 narius (atomus arba sferas) viename elemente.
Kas yra CCP?
Sąvoka CCP reiškia kubines arčiausiai supakuotas kristalų sistemas. Čia antrasis rutuliukų sluoksnis dedamas ant pusės pirmojo sluoksnio įdubimų. Trečiasis sluoksnis visiškai skiriasi nuo pirmųjų dviejų sluoksnių. Trečiasis sluoksnis yra sukrautas antrojo sluoksnio įdubimų viduje. Todėl šis sandariklis uždengia visas oktaedrines skylutes, nes sluoksniai nėra supakuoti vienas su kitu. Tačiau ketvirtasis sluoksnis yra panašus į pirmojo sluoksnio, todėl struktūra kartojasi.
02 paveikslas: CCP modelis
Kubinės arčiausiai supakuotos kristalų sistemos tūrio maždaug 74 % užima sferos arba atomai, o 26 % tūrio užima tuščios erdvės. Vienas atomas arba sfera CCP struktūroje yra apsupti 12 gretimų sferų, kaip ir HCP. CCP kristalų sistema turi 4 narius (atomus arba sferas) viename elemente.
Kokie yra HCP ir CCP panašumai?
- Tiek HCP, tiek CCP turi sferas su 12 gretimų sferų.
- Tiek HCP, tiek CCP kristalų sistemų tūrio maždaug 74 % užima sferos arba atomai, o 26 % tūrio užima tuščios vietos.
Kuo skiriasi HCP ir CCP?
HCP vs CCP |
|
| Terminas HCP reiškia šešiakampes arčiausiai supakuotas kristalų sistemas. | Sąvoka CCP reiškia kubines arčiausiai supakuotas kristalų sistemas. |
| Vieneto langelis | |
| HCP vienetą sudaro 6 nariai. | Šorinis sakinys prasideda antraeiliu jungtuku arba santykiniu įvardžiu. |
| Struktūra | |
| HCP kristalų sistemose trečiasis sferų sluoksnis turi tą patį rutulių išdėstymą kaip ir pirmame sluoksnyje, todėl antrojo sluoksnio sferos dengia pirmojo ir trečiojo sluoksnio tetraedrines skyles. | CCP kristalų sistemose antrasis sferų sluoksnis dedamas ant pusės pirmojo sluoksnio įdubimų, o trečiasis sluoksnis visiškai skiriasi nuo pirmųjų dviejų sluoksnių; trečiasis sluoksnis dedamas į antrojo sluoksnio įdubas. |
| Pasikartojanti struktūra | |
| Pasikartojanti HCP struktūra turi 2 sferų sluoksnius. | Pasikartojanti CCP struktūra turi 3 sferų sluoksnius. |
Santrauka – HCP vs CCP
HCP ir CCP yra dvi kristalų struktūrų formos. Skirtumas tarp HCP ir CCP yra tas, kad HCP kristalų sistemose trečiasis sferų sluoksnis turi tokį patį sferų išdėstymą kaip ir pirmame sluoksnyje; taigi antrojo sluoksnio sferos dengia pirmojo ir trečiojo sluoksnio tetraedrines skylutes, tuo tarpu CCP kristalų sistemose antrasis rutulių sluoksnis dedamas ant pusės pirmojo sluoksnio įdubimų, o trečiasis sluoksnis visiškai skiriasi nuo pirmųjų dviejų sluoksnių; trečiasis sluoksnis dedamas į antrojo sluoksnio įdubas.
