NMOS vs PMOS
A FET (lauko efekto tranzistorius) yra įtampa valdomas įtaisas, kurio srovės perdavimo geba keičiama taikant elektroninį lauką. Dažniausiai naudojamas FET tipas yra metalo oksido puslaidininkinis FET (MOSFET). MOSFET yra plačiai naudojami integrinėse grandinėse ir didelės spartos perjungimo programose. MOSFET veikia indukuodamas laidų kanalą tarp dviejų kontaktų, vadinamų š altiniu, ir nutekėjimo, taikant įtampą ant oksido izoliuoto vartų elektrodo. Yra du pagrindiniai MOSFET tipai, vadinami nMOSFET (paprastai žinomas kaip NMOS) ir pMOSFET (paprastai žinomas kaip PMOS), priklausomai nuo kanalu tekančių nešiklių tipo.
Kas yra NMOS?
Kaip minėta anksčiau, NMOS (nMOSFET) yra MOSFET tipas. NMOS tranzistorius sudarytas iš n tipo š altinio ir nutekėjimo bei p tipo substrato. Kai vartams yra įjungta įtampa, korpuse esančios skylės (p tipo substratas) yra išstumiamos nuo vartų. Tai leidžia suformuoti n-tipo kanalą tarp š altinio ir nutekėjimo, o srovę elektronai perneša iš š altinio į nutekėjimą per indukuotą n-tipo kanalą. Teigiama, kad loginiai vartai ir kiti skaitmeniniai įrenginiai, įdiegti naudojant NMOS, turi NMOS logiką. NMOS yra trys veikimo režimai, vadinami atjungimu, triodu ir prisotinimu. NMOS logiką lengva suprojektuoti ir gaminti. Tačiau grandinės su NMOS loginiais užtvarais išsklaido statinę galią, kai grandinė veikia tuščiąja eiga, nes nuolatinė srovė teka per loginius užtvarus, kai išėjimas yra mažas.
Kas yra PMOS?
Kaip minėta anksčiau, PMOS (pMOSFET) yra MOSFET tipas. PMOS tranzistorius sudarytas iš p tipo š altinio ir nutekėjimo bei n tipo substrato. Kai tarp š altinio ir užtvaro įvedama teigiama įtampa (neigiama įtampa tarp užtvaro ir š altinio), tarp š altinio ir nutekėjimo susidaro priešingo poliškumo p tipo kanalas. Srovė per angas iš š altinio į kanalizaciją perduodama per indukuotą p tipo kanalą. Esant aukštai įtampai ant vartų, PMOS neveiks, o esant žemai vartų įtampai, jis bus laidus. Teigiama, kad loginiai vartai ir kiti skaitmeniniai įrenginiai, įdiegti naudojant PMOS, turi PMOS logiką. PMOS technologija yra pigi ir turi gerą atsparumą triukšmui.
Kuo skiriasi NMOS ir PMOS?
NMOS sukurtas naudojant n tipo š altinį ir kanalizaciją bei p tipo substratą, o PMOS – su p tipo š altiniu ir nutekėjimu bei n tipo substratu. NMOS nešikliai yra elektronai, o PMOS nešikliai yra skylės. Kai prie vartų prijungiama aukšta įtampa, NMOS veiks, o PMOS – ne. Be to, kai vartuose įjungta žema įtampa, NMOS neveiks, o PMOS veiks. NMOS laikomi greitesniais nei PMOS, nes NMOS nešikliai, kurie yra elektronai, keliauja dvigubai greičiau nei skylės, kurios yra PMOS nešikliai. Tačiau PMOS įrenginiai yra labiau atsparūs triukšmui nei NMOS įrenginiai. Be to, NMOS IC būtų mažesnės nei PMOS IC (kurios atlieka tas pačias funkcijas), nes NMOS gali užtikrinti pusę varžos, kurią užtikrina PMOS (kurios geometrija ir veikimo sąlygos yra tokios pačios).
